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硅壓阻式擴散硅壓力傳感器構(gòu)造與原理
發(fā)布日期:2017/12/30 23:01:36
  硅壓阻式擴散硅壓力傳感器是采用***精密半導體電阻應(yīng)變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測量電路的,具有較高高的測量精度、較高低的功耗和高低的成本?;菟诡D電橋的壓阻式傳感器,如無壓力變化,其輸出為***,幾乎不耗電。
  擴散硅壓力變送器_產(chǎn)品實拍圖_仕樂克科技系列硅壓阻式擴散硅壓力傳感器采用周邊固定的圓形應(yīng)力杯硅薄膜內(nèi)壁,采用仕樂克科技自主研發(fā)技術(shù)直接將四個***精密半導體應(yīng)變片刻制在其表面應(yīng)力高處,組成惠斯頓測量電橋,作為力電變換測量電路,將壓力這個物理量直接變換成電量,其測量精度能達0.25-0.5%FS。硅壓阻式擴散硅壓力傳感器上下二層是玻璃體,中間是硅片,硅片中部做成***應(yīng)力杯,其應(yīng)力硅薄膜上部有***真空腔,使之成為一個典型的高壓擴散硅壓力傳感器。應(yīng)力硅薄膜與真空腔接觸這面經(jīng)光刻生成電阻應(yīng)變片電橋電路。當外面的壓力經(jīng)引壓腔進入傳感器應(yīng)力杯中,應(yīng)力硅薄膜會因受外力作用而微微向上鼓起,發(fā)生彈性變形,四個電阻應(yīng)變片因此而發(fā)生電阻變化,破壞原先的惠斯頓電橋電路平衡,電橋輸出與壓力成正比的電壓信號。
  擴散硅壓力傳感器的壓力直接作用于傳感器的膜片上(不銹鋼或陶瓷),使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移,使傳感器的電阻值發(fā)生變化,和用電子線路檢測這變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個對應(yīng)于這高壓力的標準測量信號。
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